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晶体管

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FZ800R33KF2C

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库存:47,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9,750.0016
9750.0016
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
1300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
9.6 kW
封装 / 箱体
IHM
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ800R33KF2CNOSA1 SP000100609
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥16.0573
2,000:¥15.2889
5,000:¥14.6787
参考库存:37850
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL
1:¥6.0681
10:¥4.9607
100:¥4.1358
500:¥3.1979
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:32745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary NPN 60Vcbo 40Vceo 250mW
9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:37857
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BUJ303CD/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *
7,500:¥1.921
10,000:¥1.8532
25,000:¥1.7854
50,000:¥1.7515
参考库存:37862
晶体管
JFET JFET
100:¥246.8824
250:¥230.4409
参考库存:37867
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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