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BSM100GD120DN2

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数量单价合计
1
¥1,902.1742
1902.1742
5
¥1,856.3753
9281.8765
10
¥1,810.2713
18102.713
25
¥1,784.9141
44622.8525
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS20017E43W38170
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥241,844.295
参考库存:41113
TSM13ND50CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V 13A Single NChn Power MOSFET
4,000:¥6.2376
10,000:¥6.1133
参考库存:41118
PTVA102001EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
参考库存:6263
2N3904
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92
20,000:¥0.10735
参考库存:41125
TSM9435CS
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V P Channel MOSFET
5,000:¥1.4916
10,000:¥1.4577
25,000:¥1.4012
参考库存:41130

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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