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晶体管

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BSM35GD120DLCE3224

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库存:50,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥912.7801
912.7801
5
¥895.9544
4479.772
10
¥855.6925
8556.925
25
¥827.1035
20677.5875
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:16763
晶体管
MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
1,000:¥17.8314
参考库存:5955
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR
1:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6159
500:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.96841
参考库存:333467
晶体管
MOSFET -20V -3.2A P-Channel
1:¥3.5369
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:83834
晶体管
JFET N-Ch JFET -300V 10mA -15Vgs 800mW
1:¥109.1919
10:¥91.8238
100:¥84.4449
250:¥76.9982
参考库存:5186
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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