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晶体管
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BSM50GP120

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数量单价合计
1
¥1,356.00
1356
5
¥1,323.4108
6617.054
10
¥1,290.5278
12905.278
25
¥1,272.4704
31811.76
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
360 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP120BOSA1 SP000100379
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC858C
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51601
JANTX2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥440.3723
5:¥416.5519
10:¥411.7833
25:¥380.9004
参考库存:51606
NVMFS6B03NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
5,000:¥21.5152
参考库存:51611
2N6339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥430.53
2:¥422.62
5:¥417.8514
10:¥405.1728
参考库存:51616
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.9894
50:¥12.4526
100:¥11.2209
参考库存:51621

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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