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晶体管
NGTB40N60L2WG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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NGTB40N60L2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/40A FAST IGBT FSII T
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库存:2,373(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1884
391.884
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.2728
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
417 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥6.8365
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.1075
参考库存:8585
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.147
参考库存:30662
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 10Vgs 15Vds -90mA
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.9102
参考库存:30667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Extremely High Voltage
1,000:¥1.6724
4,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:62447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HV 100MA 300V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:106399
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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