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晶体管
FGAF40N60UFDTU参考图片

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FGAF40N60UFDTU

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库存：52,561(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.9568
39.9568
10
¥33.9678
339.678
100
¥29.4252
2942.52
250
¥27.8884
6972.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGAF40N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
16.7 mm
长度
15.7 mm
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
零件号别名
FGAF40N60UFDTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2906AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥84.2189
250:¥76.84
500:¥71.8454
1,000:¥65.9242
参考库存:54778
2N6280
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥551.4852
参考库存:54783
JANS2N2484
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥610.9571
100:¥597.7361
参考库存:54788
2N5151U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥676.8022
参考库存:54793
JANTX2N3019S/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥86.219
250:¥78.6819
500:¥73.5404
1,000:¥67.461
参考库存:54798

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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