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晶体管
SGP23N60UFDTU参考图片

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SGP23N60UFDTU

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库存:53,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGP23N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
23 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGP23N60UFDTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9101
500:¥8.6784
3,000:¥6.7348
6,000:查看
参考库存:12801
晶体管
MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.9157
参考库存:14578
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5652
3,000:¥4.5652
参考库存:17305
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:9702
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.41471
8,000:¥0.35369
参考库存:35219
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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