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晶体管

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VS-GB100TP120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
650 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.1471
10:¥4.1245
25:¥3.4013
100:¥3.0849
2,000:¥2.1583
4,000:查看
参考库存:12539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 18V 300mW
1:¥2.6103
10:¥1.8193
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:36966
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥137.4645
5:¥132.0857
10:¥127.0911
25:¥116.7968
参考库存:4548
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:22845
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:44052
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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