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晶体管
DGTD65T40S1PT参考图片

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DGTD65T40S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:48,458(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.8041
36.8041
10
¥31.2784
312.784
100
¥27.12
2712
250
¥25.7414
6435.35
500
¥23.052
11526
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
341 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:16510
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥1,440.75
5:¥1,406.0929
10:¥1,371.2098
25:¥1,352.0789
参考库存:4117
晶体管
MOSFET Code D IMR
1:¥42.4202
10:¥36.0357
100:¥31.2784
250:¥29.6625
2,000:¥21.2892
4,000:查看
参考库存:12284
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.2998
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:13086
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.5725
10:¥31.1993
100:¥25.6623
250:¥24.8939
500:¥22.2836
参考库存:4093
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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