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晶体管
BSM400C12P3G202参考图片

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BSM400C12P3G202

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
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数量单价合计
1
¥5,859.05
5859.05
5
¥5,765.3843
28826.9215
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power Semiconductor Modules
类型
SiC Power Module
Vf - 正向电压
1.7 V at 400 A
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSMx
封装
Tray
配置
Chopper
技术
SiC
商标
ROHM Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
典型延迟时间
55 ns
下降时间
45 ns
Id-连续漏极电流
358 A
Pd-功率耗散
1570 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
上升时间
40 ns
工厂包装数量
4
子类别
Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间
180 ns
典型接通延迟时间
55 ns
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
1:¥1.6159
10:¥1.4351
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:89375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 6PIN
1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:17027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:20284
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:98201
晶体管
MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
1:¥2.6103
10:¥1.8306
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:23383
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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