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晶体管

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F4-200R06KL4

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库存:40,827(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥1,437.7555
14377.555
30
¥1,417.6189
42528.567
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
F4200R06KL4BOSA1 SP000100433
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥137.6227
10:¥125.091
25:¥115.7233
50:¥109.497
参考库存:49662
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:49667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR
3,000:¥0.54579
12,000:¥0.54579
24,000:¥0.51528
45,000:¥0.45313
99,000:¥0.43844
参考库存:49672
晶体管
MOSFET -100V,- 20A, P Chann el Mosfet
1,000:¥7.4354
2,000:¥6.5766
10,000:¥5.8308
参考库存:49677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥4.2262
10:¥3.842
100:¥2.5199
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.69947
参考库存:49682
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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