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晶体管
A3T21H456W23SR6参考图片

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A3T21H456W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
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库存：42,256(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥911.0964
136664.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
系列
A3T21H456
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V, 1.4 V
零件号别名
935371527128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6297
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥247.7299
5:¥236.5881
10:¥229.2092
25:¥210.6207
参考库存:52431
BCX55H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:52436
SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:52441
RJH1CV5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥48.251
10:¥43.1095
25:¥38.8042
50:¥37.0414
参考库存:52446
IPB47N10SL-26
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.2885
参考库存:52451

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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