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晶体管
STGW30V60F参考图片

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STGW30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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数量单价合计
1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRA3143X0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:47092
DMG963H10R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:47097
DRA3143T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:47102
DDTA114TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:47107
JANSH2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥626.7884
100:¥616.867
参考库存:47112

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