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晶体管
STGW15H120F2参考图片

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STGW15H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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库存:51,894(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥29.7416
17844.96
1,200
¥25.8996
31079.52
3,000
¥24.973
74919
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:17286
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
3,000:¥4.8816
9,000:查看
参考库存:13453
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:72770
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:68732
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
1,000:¥8.6784
5,000:¥8.6784
参考库存:87374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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