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晶体管
IGW40N60H3参考图片

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IGW40N60H3

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库存:4,483(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.2729
34.2729
10
¥29.1201
291.201
100
¥25.2781
2527.81
250
¥23.9786
5994.65
500
¥21.5152
10757.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:80388
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:18480
晶体管
MOSFET
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:4232
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1246
500:¥5.4127
参考库存:14669
晶体管
MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0399
500:¥6.2263
参考库存:9626
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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