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晶体管
CGHV40100F参考图片

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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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1
¥2,507.4474
2507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥48.7143
10:¥40.4201
100:¥33.2672
250:¥32.1937
参考库存:9361
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0851
2,500:¥4.9607
10,000:查看
参考库存:11493
晶体管
MOSFET PSMN7R5-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
1,500:¥2.3617
参考库存:64460
晶体管
MOSFET N-channel 55 V, 0.012 Ohm, 60 A DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:16207
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP53H/SOT223/SC-73
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:41319
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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