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晶体管
2N4449/TR参考图片

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2N4449/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:58,429(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥102.039
10203.9
200
¥93.0555
18611.1
500
¥87.0552
43527.6
1,000
¥79.8345
79834.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-46-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.45 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 1 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:172349
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 79A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1936
250:¥28.6568
500:¥25.6623
参考库存:5051
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500MA 80V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:503123
晶体管
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.4464
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
参考库存:32905
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:8642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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