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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-75-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC144EE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRG4BC30W-SPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT	1:¥21.357 10:¥18.1365 100:¥15.7522 250:¥14.9047	参考库存:2811
J211	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel	1:¥22.5887 10:¥18.1365 100:¥14.9047 500:¥13.3679	参考库存:45245
FF1200R17KE3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1700V 1200A DUAL	1:¥7,771.7558	参考库存:45250
0910-60M	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor	10:¥2,552.0824 25:¥2,517.1202	参考库存:45255
PMN27UPH	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET	3,000:¥1.02943 9,000:¥0.9605 24,000:¥0.88366 45,000:¥0.85315 99,000:¥0.81473	参考库存:45260