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晶体管
IPD90N10S4L06ATMA1参考图片

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IPD90N10S4L06ATMA1

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库存:14,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
2,500
¥7.1303
17825.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
IPD90N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPD90N10S4L-06 SP000866562
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
1:¥38.7251
10:¥34.578
100:¥28.2726
200:¥25.5154
500:¥22.9729
参考库存:6414
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.0626
10:¥7.458
100:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:18141
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:153198
晶体管
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:5690
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28207
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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