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晶体管
CSD25310Q2T参考图片

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CSD25310Q2T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Pch MOSFET
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库存:48,768(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.5199
251.99
250
¥2.5199
629.975
1,000
¥1.9549
1954.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
19.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD25310Q2
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥7.1416
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:94979
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7515
3,000:¥1.5029
参考库存:19981
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥41.2676
10:¥33.1203
25:¥32.5779
100:¥30.1936
参考库存:45325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.3899
参考库存:45330
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,500:¥0.83733
10,000:¥0.78422
参考库存:54993
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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