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晶体管
QPD1015L参考图片

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QPD1015L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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库存:1,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015LPCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
5,000:¥3.9324
参考库存:12098
晶体管
MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.8419
参考库存:187185
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:25612
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2649
晶体管
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.4469
100:¥8.3733
500:¥7.119
2,000:¥5.0624
4,000:查看
参考库存:24871
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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