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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	40 A
Rds On-漏源导通电阻	82 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	81 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	313 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	Reel
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	5 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	27 ns
工厂包装数量	800
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	79 ns
典型接通延迟时间	27 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMT4008LFV-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V	1:¥5.6839 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634 2,000:¥2.4634	参考库存:44374
DMP2123LQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS	10,000:¥0.89157	参考库存:44379
IPD050N10N5ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥16.5997 10:¥14.1363 100:¥11.30 500:¥9.831 2,500:¥7.6388 5,000:查看	参考库存:16542
BCM856BSF	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM856BS/SC-88/REEL 13" Q1/T1	10,000:¥0.66896 20,000:¥0.63054 50,000:¥0.56048 100,000:¥0.54579	参考库存:44386
DMN3009SFG-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson	3,000:¥2.3956	参考库存:34049