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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
系列	RN4904
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V, 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
类型	PNP/NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
通道数量	2 Channel
最大直流电集电极电流	- 100 mA, 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSC5304DCP ROG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode	5,000:¥1.9662 10,000:¥1.808 25,000:¥1.7289	参考库存:37722
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TSM10N80CZ C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V 10Amp N channel Mosfet	4,000:¥13.5261 5,000:¥12.9046	参考库存:37737
TIP32A SL	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 40W	1,400:¥4.5652 2,500:¥4.0454 10,000:¥3.8985	参考库存:37742