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晶体管
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2N5963

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9041
29.041
100
¥1.8306
183.06
1,000
¥1.3673
1367.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5961
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
900 at 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5963 PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMD10K100
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W
120:¥71.1561
260:¥64.8507
参考库存:48642
IFN425
InterFET
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:48647
SUD50N06-36-T4-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
2,500:¥2.9041
5,000:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:48652
STGIPQ3HD60-HZ
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:7747
MG1775S-BN4MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1700V 75A IGBT
100:¥592.0522
参考库存:48659

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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