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晶体管
STGIPQ8C60T-HZ参考图片

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STGIPQ8C60T-HZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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库存:3,174(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.9981
74.9981
10
¥67.7774
677.774
25
¥64.6247
1615.6175
100
¥56.0932
5609.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
19.2 W
封装 / 箱体
N2DIP-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
STGIPQ8C60T-HZ
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:81589
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:13926
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
1:¥78.8401
10:¥71.2352
25:¥67.9243
100:¥59.0086
参考库存:6273
晶体管
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:6760
晶体管
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
4,800:¥5.0624
9,600:查看
参考库存:28027
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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