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晶体管
IGB15N60TATMA1参考图片

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IGB15N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
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库存:12,335(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB15N60T IGB15N6TXT SP000054921
单位重量
1.430 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transitor
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥2.2713
参考库存:18078
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5822
参考库存:6190
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
2,500:¥6.215
5,000:查看
参考库存:3942
晶体管
MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
2,500:¥2.8702
10,000:查看
参考库存:13039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 4.7KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:7191
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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