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晶体管
DDTC114TCA-7-F参考图片

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DDTC114TCA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
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库存:7,667(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.10627
11.0627
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.31527
315.27
3,000
¥0.24634
739.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTC114
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
600
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
类型
NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:42563
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥85.9026
参考库存:42568
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:42573
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:42578
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:42583
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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