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SIHA4N80E-GE3参考图片

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SIHA4N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.673
136.73
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
1,000
¥7.6501
7650.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R12ME3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥772.7844
5:¥758.6368
10:¥724.443
25:¥700.3175
参考库存:1761
AUIRFR9024N
Infineon / IR
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 175mOhms
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.667
500:¥5.8986
参考库存:16078
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 600V/35A FAST IGBT FSII T
1:¥32.1146
10:¥27.2782
100:¥23.6622
250:¥22.4418
500:¥20.1366
参考库存:1870
FDMS9410-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3054
500:¥5.5709
3,000:¥3.8985
9,000:查看
参考库存:10792
FDG6318PZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual PCh Digital
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:421734

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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