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晶体管
SQS482ENW-T1_GE3参考图片

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SQS482ENW-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥5.989
59.89
100
¥4.5539
455.39
500
¥3.7629
1881.45
1,000
¥3.0171
3017.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8W-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDU5N50NZTU
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
5,040:¥2.2261
10,080:¥2.1357
25,200:¥2.0566
参考库存:50249
NVMFS4C310NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 30V NCH
5,000:¥1.8645
10,000:¥1.7854
25,000:¥1.7176
50,000:¥1.695
参考库存:50254
AUIRGF76524D0
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
400:¥34.4198
800:¥31.3462
1,200:¥27.3573
2,800:¥26.3516
参考库存:50259
IRFR9020TRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
3,000:¥6.9269
参考库存:50264
PBSS5630PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
3,000:¥1.05316
9,000:¥0.9831
24,000:¥0.90626
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.83733
参考库存:50269

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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