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晶体管
IPT65R105G7XTMA1参考图片

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IPT65R105G7XTMA1

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库存:19,869(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
250
¥31.3462
7836.55
2,000
¥22.5096
45019.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
CoolMOS G7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPT65R105G7 SP001456204
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9267
3,000:¥2.1244
6,000:查看
参考库存:33427
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
2,500:¥2.2713
参考库存:47579
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:18366
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:3518
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:16670
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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