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晶体管
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AUIRF1404ZL

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
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库存：4,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.5205
3630.125
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001520886
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.4361
250:¥20.2835
800:¥15.368
2,400:查看
参考库存:10375
DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
参考库存:56377
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,000:¥2.0001
参考库存:76379
RN2401S,LF(D
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias resistor built- in transistor (BRT)
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:46723
DMS3014SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
参考库存:21386

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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