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晶体管
SQJ844AEP-T1_GE3参考图片

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SQJ844AEP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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库存:34,008(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.2149
2107.45
3,000
¥4.2149
12644.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
13.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
参考库存:9250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR DUAL 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:52812
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:135289
晶体管
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥48.3301
10:¥41.0303
100:¥35.5724
250:¥33.7305
参考库存:6281
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
参考库存:9483
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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