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晶体管
NVMFS5A140PLZWFT1G参考图片

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NVMFS5A140PLZWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
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库存：10,240(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥14.9838
1498.38
250
¥14.2154
3553.85
1,500
¥10.2152
15322.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
136 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
740 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
860 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
540 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6274
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥676.4971
2:¥655.5243
5:¥655.3661
10:¥634.2351
参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:51050
FF600R12IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:7653
BC847AW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:51057
IPB180N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:51062

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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