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晶体管
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IPB180N06S4H1ATMA2

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数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.5097
245.097
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
1,000
¥15.2098
15209.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
IPB180N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB180N06S4-H1 IPB18N6S4H1XT SP001028786
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMXT2207 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Complementary
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:33607
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:46319
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:46324
2N3507AU4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥437.8298
参考库存:46329
CBCP69
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 2A PNP
2,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7233
参考库存:46334

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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