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晶体管
SI9933CDY-T1-GE3参考图片

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SI9933CDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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库存:175,717(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI9
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SI9933CDY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:19047
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥50.7935
10:¥45.9458
25:¥43.7988
100:¥38.0358
参考库存:6154
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:14206
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥159.2848
5:¥152.1432
10:¥147.3746
25:¥135.4644
参考库存:1828
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8139
5,000:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:47205
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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