DDTA114WCA-7-F原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.13
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	24
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA114
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	24
发射极 - 基极电压 VEBO	- 0.3 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
类型	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTJS3157NT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 4A N-Channel	1:¥3.3787 10:¥2.373 100:¥1.09158 1,000:¥0.83733 3,000:¥0.71416 9,000:¥0.65314	参考库存:92062
FCX688BTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain	1:¥4.9155 10:¥4.1358 100:¥2.5199 1,000:¥1.9549 2,000:¥1.6724	参考库存:9239
IPP50R280CE	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE	1:¥9.9101 10:¥8.4524 100:¥6.5201 500:¥5.763 1,000:¥4.5539	参考库存:8176
FS10R06VE3_B2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 EASYPACK 750 15.0A 1.55V	1:¥145.6118 10:¥133.8598 25:¥128.3228 100:¥113.0339	参考库存:3273
BUZ30AHXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3	1:¥15.9104 10:¥13.5261 100:¥10.8367 500:¥9.4468	参考库存:6455