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晶体管
NTND31015NZTAG参考图片

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NTND31015NZTAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M
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库存:11,451(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
8,000
¥0.66896
5351.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
XLLGA-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms, 800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
166 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
480 mS, 480 mS
下降时间
80 ns, 80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25.5 ns, 25.5 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142 ns, 142 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns, 16.5 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K
3,000:¥0.43053
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.32318
参考库存:159502
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
暂无价格
参考库存:52214
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:11309
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
2,500:¥2.7007
10,000:¥2.599
25,000:¥2.5199
参考库存:52221
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 20A 32W 1600pF 23nC
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:52226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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