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晶体管
IRGB4056DPBF参考图片

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IRGB4056DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:27,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.8939
24.8939
10
¥21.131
211.31
100
¥18.3625
1836.25
250
¥17.3681
4342.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
140 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544890
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:3387
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
参考库存:6364
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:34386
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:176038
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:2615
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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