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晶体管
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CGH40006S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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211.1518
200
¥211.1518
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
6.9 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
1 mm
长度
3.15 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
3.15 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40006S-KIT
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3737UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.2113
250:¥145.2276
500:¥138.1538
参考库存:59285
STP4NK60Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2433
500:¥6.3958
参考库存:19553
RM12N40S8-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
5,000:¥1.3786
10,000:¥1.2656
25,000:¥1.2317
参考库存:59292
JANTXV2N3418
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥206.8578
250:¥189.7948
500:¥180.6531
参考库存:59297
STGIPS10K60T-H
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 3-phase inverter 10A 600V short-circuit
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:59302

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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