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晶体管
MW6S004NT1参考图片

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MW6S004NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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库存:5,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥85.1342
85.1342
10
¥78.0717
780.717
25
¥70.9979
1774.9475
100
¥63.8563
6385.63
1,000
¥47.9459
47945.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
2 GHz
系列
MW6S004NT1
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935320257515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
500:¥27.0522
参考库存:6457
晶体管
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
1:¥6.9156
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:29294
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -20V -6.2A 600mW 105MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:11091
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:34888
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:22285
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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