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晶体管
NTHS4166NT1G参考图片

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NTHS4166NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET
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库存:21,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.0284
30.284
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2204
3661.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHS4166N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
13 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns, 11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 8 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
3,000:¥0.75258
12,000:¥0.75258
24,000:¥0.69156
45,000:¥0.66896
参考库存:46193
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
2:¥377.5104
5:¥367.0692
10:¥356.6167
参考库存:46198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:46203
晶体管
MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
3,000:¥27.4364
参考库存:46208
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:46213
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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