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晶体管

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BSM300GA120DLC

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库存:58,815(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥1,132.7798
11327.798
30
¥1,116.9485
33508.455
50
¥1,116.8694
55843.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
570 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DLCHOSA1 SP000100731
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:25101
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥104.8075
10:¥95.2816
25:¥88.14
50:¥83.3714
参考库存:1698
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
3,000:¥2.3165
参考库存:31605
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:11587
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:79354
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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