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晶体管
SP8M5FRATB参考图片

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SP8M5FRATB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8591
3429.55
1,000
¥5.6839
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC, 25 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
13 ns, 70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns, 110 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 20 ns
零件号别名
SP8M5FRA
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
3,000:¥0.75258
12,000:¥0.75258
24,000:¥0.69156
45,000:¥0.66896
参考库存:46193
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
2:¥377.5104
5:¥367.0692
10:¥356.6167
参考库存:46198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:46203
晶体管
MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
3,000:¥27.4364
参考库存:46208
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:46213
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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