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晶体管
CSD13381F4参考图片

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CSD13381F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
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库存:2,041,523(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3052
23.052
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1060 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13381F4
晶体管类型
1 N-Channel FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:18752
晶体管
MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5427
6,000:查看
参考库存:16074
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
1,000:¥13.673
2,000:查看
参考库存:7091
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1303
3,000:¥4.9946
9,000:查看
参考库存:33758
晶体管
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.3606
100:¥82.2188
参考库存:5215
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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