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晶体管
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C3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
21.1 m
长度
16.13 mm
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC123JM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
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