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晶体管
STGD19N40LZ参考图片

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STGD19N40LZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
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库存:13,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
2,500
¥7.1303
17825.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
390 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
16 V
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD19N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:7860
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:30777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:48434
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:8856
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:3663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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