FD600R17KE3_B2原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1700 V
在25 C的连续集电极电流	950 A
封装 / 箱体	IHM130
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	140 mm
宽度	130 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	2
子类别	IGBTs
零件号别名	FD600R17KE3B2NOSA1 SP000091885
单位重量	1.05 kg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVMFS5C442NWFAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6-D3F 40V NFET	5,000:¥3.2205 10,000:¥3.1075 25,000:¥3.0058	参考库存:42306
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AUIRGF65A40D0	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DISCRETES	400:¥54.5564 800:¥49.72 1,200:¥43.2564	参考库存:42313
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ZTX955	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power	4,000:¥4.0906	参考库存:42323