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晶体管
CSD16413Q5A参考图片

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CSD16413Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:30,295(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
2,500
¥4.1471
10367.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16413Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.7 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.3506
2,500:¥4.4409
10,000:查看
参考库存:50034
晶体管
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1642
3,000:¥5.537
6,000:查看
参考库存:13606
晶体管
MOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:17633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 80Vcbo 50Vces 45Vceo 500mW
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
参考库存:23100
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
参考库存:4077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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