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晶体管
NTB60N06T4G参考图片

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NTB60N06T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 60A N-Channel
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库存:7,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9104
15.9104
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.4468
4723.4
800
¥7.8422
6273.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
系列
NTB60N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
142.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180.7 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
94.5 ns
典型接通延迟时间
25.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8478
1,000:¥5.4127
2,500:¥5.4127
参考库存:17518
晶体管
MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.1978
250:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:27245
晶体管
IGBT 模块
1:¥443.9092
5:¥433.92
10:¥417.0152
25:¥403.5682
参考库存:4102
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46559
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
2,000:¥0.31527
参考库存:47601
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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