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晶体管
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MJW21193G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
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数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
500
¥19.8202
9910.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJW21193
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
21.08 mm (Max)
长度
16.26 mm (Max)
封装
Tube
宽度
5.3 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUJ103AX,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:48391
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:48396
DDTD113EC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:48401
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:48406
TK6P65W,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:48411

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